9月17日,应山东大学晶体材料研究所国家重点实验室邀请,台湾成功大学成功大学张守进教授等一行四人访问晶体材料国家重点实验室并就宽禁带半导体技术进行学术交流。
研讨会议由晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚教授主持,他首先对成功大学各位专家学者的到来表示热烈的欢迎。成功大学张守进教授致辞,对重点实验室的邀请和接待表示感谢,他简单介绍了台湾成功大学的概况,他强调只有交流才能促进发展,希望今后能够更多的与山东大学展开交流与合作。随后,成功大学的賴韋志教授和鄭博文教授分别做了题为“Efficiency improvement of GaN based light emitting diodes” 和“Semiconductor lasers and micro devices”的报告,分别就当今基于GaN衬底的发光二极管技术的发展以及存在的问题以及半导体激光和微器件技术展开了深入浅出地介绍。李允立博士则从市场需求的角度出发,向大家展示了当今LED技术的发展方向以及应用前景。物理学院林兆军教授系统的介绍了GaN电子器件的研究、发展以及需解决的问题。山东大学纳电子中心负责人向大家展示了纳电子中心的基本配置以及科研实力。晶体所SiC课题组代表介绍了自身课题组“SiC衬底材料的研究进展”以及“基于SiC衬底的GaN LED技术研究”。研讨会的举行加深了大家对于宽禁带半导体材料的了解,促进了海峡两岸关于宽禁带半导体技术的交流。来自晶体所、物理学院以及信息学院的180余名师生参加报告会。
研讨会之前,成功大学一行四人在实验室主任陶绪堂教授的陪同下参观了晶体材料国家重点实验室。陶绪堂对重点实验室近些年来的主要研究方向以及成果进行了详细地介绍。通过参观,台湾学者专家对晶体所近些年的发展有了深入的了解,对晶体所近些年取得的成就进行了充分肯定。双方就今后进一步加强合作进行了深入的讨论。
台湾成功大学是台湾顶尖大学之一,现为全台规模第二的全科性综合大学。是全台唯一校区最集中的综合大学。成大也是南台湾教育中心、医学中心、光电系统科技中心、南区纳米研究中心、航太中心及区域网路中心,是学术领域最为完整的研究型综合大学。成大在理学、工学、医学、人文、管理学、设计与规划等学术领域均有杰出的表现。 ( 文:孙丽)