3月25日，应晶体材料研究所所长陶绪堂教授邀请，中山大学材料学院副院长、杰出青年基金获得者黄丰教授访问晶体材料国家重点实验室，并做了题为“宽禁带半导体载流子调控的普适性方法”的学术报告。报告由陶绪堂教授主持，来自晶体所、物理学院的部分师生参加了报告会。

黄丰教授在报告中从能带以及分子轨道理论角度阐述了对化合物半导体的新认识，并从绝对化学式以及热力学条件出发，以掺Li:ZnO为例介绍了半导体掺杂过程中施主与受主的本质，从而概述了近期在宽禁带半导体氧化锌和氧化镓p型掺杂方面的研究进展，并针对强氧化条件下实现氧化镓p型掺杂问题与参会人员展开了热烈讨论。

访问期间，陶绪堂教授陪同黄丰教授参观了晶体材料国家重点实验室展厅和高温熔体法晶体生长实验室，介绍了实验室的发展历史、取得的创新性成果、晶体生长设备的自主研制等。黄丰教授对晶体材料国家重点实验室在单晶生长、设备自主研制及器件研发领域所获得的重要成果表示赞赏。

黄丰教授于2006年获国家杰出青年基金，2009年入选“新世纪百千万人才工程”国家级人选，2012年享受政府特殊津贴。在包括Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater.，Angew. Chem. Int. Ed.，Nature, Science, Nano Lett.等杂志发表论文130 余篇，其中影响因子>7的23篇，他引3000余次。申请专利37项，授权12项。承担国家杰出青年基金、国家自然科学基金重大研究计划、重点项目、海峡联合基金重点、科技部 973、总装重点、中科院重点、福建重大专项专题和中山大学“百人计划二期”启动等基金项目共 6000 余万元。